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单片机主控芯片原材料碳化硅现状
关注单片机主控芯片产业的朋友们对碳化硅这种主控芯片材料并不陌生了，今天无锡晶哲科技有限公司围绕碳化硅材料展开解析。碳化硅相较于硅的，其高耐压及高耐温性能优越，但是碳化硅问世十多年来并没有得到市场大规模地转化。究其原因就是碳化硅晶圆的制造及产能不顺畅。
由于物理的特性，碳化硅材料拥有很高的硬度，目前仅次于金刚石，因此在生产上势必要在高温与高压的条件下才能生产，一般而言，需要在2000°C以上高温（硅晶仅需在1500°C），以及350MPa以上才能达成。
若透过添加一些特殊的助烧剂，或者气体沉积的方式，则可使碳化硅烧成温度降到2000°C左右，且在常压下就能进行。可见，虽然有长晶设备，但碳化硅晶圆的生产仍是十分困难，不仅是因为产能仍十分有限，而且品质十分的不稳定。
依据目前的硅晶业者的生产情况，一般而言，生产8吋的硅晶棒，需要约2天半的时间来拉晶，6吋的硅晶棒则需要约一天。接着，待晶棒冷却之后，再进行晶圆的切片和研磨。
至于碳化硅晶圆，光长晶的时间，就约需要7至10天，而且生成的高度可能只有几吋而已（硅晶棒可达1至2米以上），再加上后续的加工制程也因为硬度的影响而相对困难，因此其产能十分有限，品质也不稳定。
单片机主控芯片原材料碳化硅又开始受到重视，主要就是在电动车这类需要高功率元件的应用陆续浮出台面，让人们意识到碳化硅元件在耐高压方面的优势。
作为新兴的单片机主控芯片原材料，碳化硅是在1200V以上的高压有十分显著的优势，非常适合运用在电动车这类的应用上；GaN则是落在600V至1000V区间的应用上。
